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DMP4015SK3
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25
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15
10
5
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1000
f = 1MHz
10000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A =150°C
C ISS
1000
T A =125°C
T A =85°C
100
100
C OSS
10
C RSS
1
T A =25°C
10
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
30
0.1
0 5 10 15 20 25 30
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10
100
8
6
4
2
90
80
70
60
50
40
30
20
10
Single Pulse
R ? JA = 72°C/W
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
T J - T A = P * R ? JA
0
0
20 40 60 80 100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
120
0
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 12 Single Pulse Maximum Power Dissipation
DMP4015SK3
Document number: DS35480 Rev. 6 - 2
4 of 7
www.diodes.com
February 2013
? Diodes Incorporated
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